工程师在选择MOS管时，首先需要阅读的就是MOS管手册。 当我们拿到说明书时，如何理解那几页到十多页的内容呢？

事实上，并不是每个参数都需要特别关注。 我们只需要关注几个重要的参数。 下面分享一下我对MOS管手册的一些理解。

我们举个例子来说明一下：

当你打开规格书时，首先看到的就是MOS管的引脚图、封装形式以及三个重要参数。 一般来说，当你看到这个的时候8脚mos管，你就对这个管子有了初步的了解，知道它适合哪个功率级别使用了。

VDSS、ID 和 RDS(on) 是特别重要的参数，必须了解。 下表详细说明了这意味着什么。

1.VDSS漏极电压

这第一个电参数，即DS击穿电压，也就是我们关心的MOS管的耐压，最高不能超过500V，测试条件是25℃。

向下滚动，有一条VDSS随温度变化的曲线，如图：

可见VDSS具有正温度系数。 仅当温度为25℃时，管电压为500V。 如果是在寒冷环境下，如-50℃，耐压低于500V，所以电路设计时一般至少要预留10%的余量，以保证正常工作。

2.Vgs栅源驱动电压

设置该值的目的是为了防止输入电压过高，造成MOS管损坏。 电压一般设置为12-15V。

3.ID连续漏极电流

MOS管表面温度在25℃以上时允许的最大持续直流电流。 从测试条件可以看出，同等条件下，MOS管温度越高，ID越小。 原因是内阻随着温度升高而增大。 根据I=U/R，可见内阻与电流成反比。 内阻越大，通过的电流越小，负载能力越弱。

4. IDM峰值漏电流

该参数反映了MOS管能通过的最大脉冲电流，远大于连续电流。 如果长时间在该电流下工作，管子就会失效。 因此，在实际工作中，需要将电流设置在ID范围内。

5、RDS(on)导通内阻

内阻是一个比较重要的参数。 内阻越小，负载能力越强。 温度对内阻影响较大，如图：

随着温度升高，内阻增大。 内阻越大，管子本身消耗的能量就越大，管子发热就越严重，情况就会变得更糟。 因此，必须控制MOS管的温度，一般不超过105℃。

6.Vgs(TO)阈值电压

请注意，Vgs(to)具有负温度系数特性。 温度越高，开启电压越低。 高温时管子接近1.5V时就会导通。 有些管子在高温下约为零点几伏，所以只要栅极上有一个小尖峰，管子就可能被误导通，造成系统不稳定。

7.Qg、Qgs、Qgd栅极电荷

Qg 栅极电容的充电电荷。 这个值与驱动电路有很大关系。 驱动电流的大小通常参考Qg的值，然后估算驱动电流值。

8.td(on)导通延迟时间、tr上升时间、td(off)关断延迟时间、tf下降时间、td(off)关断延迟时间，示意图如下：

在计算半桥电路的死区时间时，经常会参考这些参数值。

9.Ciss、Coss、Crss寄生电容

Ciss是输入电容。 当输入电容充电到阈值电压时，MOS管即可导通，放电到一定程度后才会截止。 Ciss对MOS管的开通和关断延迟有直接的影响。

Coss 是输出电容。 该参数对于软开关非常重要，因为它可能会引起电路谐振。

Crss又称为Cgd，全称反向传输电容，也叫米勒电容。 它影响开关上升和下降时间。

当然8脚mos管，寄生电容越小越好。

10.体二极管

VSD是二极管的正向导通压降为1.5V。 这个参数不是重点。 关键点是二极管的反向恢复时间trr。 时间越小越好。 如果时间太长，损失就会更大。

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